IPA50R380CEXKSA1

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MOSFET COOL MOS

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美国加州
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规格书
安装风格	Through Hole
配置	Single
晶体管极性	N-Channel
最低工作温度	- 55 C
源极击穿电压	20 V
连续漏极电流	9.9 A
系列	IPA50R380
RDS（ON）	0.38 Ohms
封装	Tube
功率耗散	29 W
商品名	CoolMOS
封装/外壳	TO-220-3 FP
栅极电荷Qg	24.8 nC
典型关闭延迟时间	35 ns
零件号别名	SP000848216
上升时间	5.6 ns
最高工作温度	+ 150 C
漏源击穿电压	550 V
RoHS	RoHS Compliant
下降时间	8.6 ns
工厂包装数量	500
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	500 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
宽度	4.85 mm
Qg - Gate Charge	24.8 nC
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
品牌	Infineon Technologies
通道数	1 Channel
晶体管类型	1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current	9.9 A
长度	10.65 mm
Rds On - Drain-Source Resistance	380 mOhms
身高	16.15 mm
典型导通延迟时间	7.2 ns
Pd - Power Dissipation	29 W
技术	Si

型号	厂家	产品描述
IPA50R380CE	infineon technologies	Trans MOSFET N-CH 550V 10.6A
IPA50R140CP	infineon technologies	Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IPA50R140CPXKSA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IPA50R199CP	infineon technologies	Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IPA50R399CPXKSA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IPA50R520CP	infineon technologies	Trans MOSFET N-CH 500V 7.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
IPA50R650CE	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP
IPA50R650CEXKSA1	Infineon Technologies AG
IPA50R800CE	Infineon Technologies	MOSF N CH 500V 5A PG-TO220 FPK
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